텅스텐 표적의 재료 특성 및 장점
초고 융점 및 고온 저항
텅스텐은 최대 3422 도의 용융점을 가지므로 자연에서 가장 높은 융점을 가진 금속 중 하나입니다. 이를 통해 고온 환경 (예 : 반도체 제조의 플라즈마 스퍼터링)에서 안정적인 구조를 유지하여텅스텐 대상열로 인해 연화되거나 휘발되고 필름의 균일 성에 영향을 미칩니다.
우수한 전기 및 열 전도성
텅스텐은 전자 이동성이 높고 전도성 층 재료 (예 : ChIP 상호 연결 전극)로서 적합합니다. 동시에, 높은 열전도율은 스퍼터링 중에 발생하는 열을 빠르게 소산하고 대상의 서비스 수명을 연장 할 수 있습니다.
부식 및 내마모성
텅스텐은 산 및 알칼리와 같은 부식성 환경에 강한 내성을 가지고 있으며 경도가 높습니다 (Mohs Hearthness 7.5). 목표 재료 손실을 줄이기 위해 높은 이온 폭격 강도가 높은 스퍼터링 환경에서 사용하기에 적합합니다.
고순도 요구 사항
반도체 등급 텅스텐 표적의 순도는 일반적으로 증착 된 필름을 오염시키고 장치 성능 (단락, 누수 등)에 영향을 미치는 불순물을 피하기 위해 일반적으로 99.95% 또는 심지어 99.999% (5n 등급)에 도달해야합니다.
텅스텐 표적의 기본 사양 및 순도 매개 변수
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항목 이름 |
텅스텐 대상 |
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크기 |
사용자 정의 |
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공차 크기 |
+\/-0. 2mm |
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인증서 |
ISO9001 : 2008, SGS, 세 번째 테스트 보고서 |
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공예 |
VIM\/HP |
텅스텐 대상 관련 사진
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