의 제조텅스텐로드높은 비율과 어려운 처리와 같은 기술 병목 현상을 뚫어야합니다. 주류 프로세스는 다음과 같습니다.
분말 야금 방법
단계 : 텅스텐 파우더 (순도는 99.95%이상 또는 동일) → 등방성 프레스 → 사전 간절 (1200-1500 학위) → 수직 용융 소결 (2800도, 수소 보호) → 로타리 위조\/그리기 → 최종 어닐링.
주요 제어 : 소결 밀도는 파단을 유발하는 모공을 피하기 위해 이론적 값 (18.8 g\/cm³)의 98% 이상에 도달해야합니다.
제련 방법
전자 빔 용융 (EBM) : 가스 불순물을 제거하기 위해 10 ° PA 진공 상태에서 텅스텐 잉곳을 녹이고 순도는 99.999%에 도달 할 수 있습니다.
적용 : 반도체 이온 이식 기계 성분, 핵 퓨전 장치 첫 번째 벽 재료.
표면 강화 기술
레늄 도금 층 : 텅스텐 곡물의 고온 성장을 억제하고 1500도 이상의 강도를 향상시킵니다 (크리프 저항은 30%증가).
기화 처리 : 표면 경도는 절단 도구에 사용되는 HV2200 (기존 텅스텐로드 HV1400)으로 증가합니다.
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